閃存什么意思

潘益宏 初入江湖 二級313 | 我的貢獻(xiàn) | | 我的空間 | 百度首頁 | 退出新聞 網(wǎng)頁 貼吧 知道 MP3 圖片 百科 幫助 百度百科 > 瀏覽詞條編輯詞條 發(fā)表評論 歷史版本 打印 添加到搜藏 閃存開放分類: 硬件、電腦、計算機(jī)、集成電路、存儲器目錄? 【閃存的概念】? 【技術(shù)及特點】? 【閃存的分類】? 【NAND型閃存】? 【應(yīng)用及前景】? 【與硬盤區(qū)別】? 【閃存發(fā)展過程】【閃存的概念】閃存Flash Memory是一種長壽命的非易失性在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器EEPROM的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS基本輸入輸出程序、PDA個人數(shù)字助理、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。另一方面，閃存不像RAM隨機(jī)存取存儲器一樣以字節(jié)為單位改寫數(shù)據(jù)，因此不能取代RAM。閃存卡Flash Card是利用閃存Flash Memory技術(shù)達(dá)到存儲電子信息的存儲器，一般應(yīng)用在數(shù)碼相機(jī)，掌上電腦，MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作為存儲介質(zhì)，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為閃存卡。根據(jù)不同的生產(chǎn)廠商和不同的應(yīng)用，閃存卡大概有SmartMediaSM卡、Compact FlashCF卡、MultiMediaCardMMC卡、Secure DigitalSD卡、Memory Stick記憶棒、XD-Picture CardXD卡和微硬盤MICRODRIVE這些閃存卡雖然外觀、規(guī)格不同，但是技術(shù)原理都是相同的?！炯夹g(shù)及特點】NOR型與NAND型閃存的區(qū)別很大，打個比方說，NOR型閃存更像內(nèi)存，有獨立的地址線和數(shù)據(jù)線，但價格比較貴，容量比較??；而NAND型更像硬盤，地址線和數(shù)據(jù)線是共用的I/O線，類似硬盤的所有信息都通過一條硬盤線傳送一般，而且NAND型與NOR型閃存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型閃存比較適合頻繁隨機(jī)讀寫的場合，通常用于存儲程序代碼并直接在閃存內(nèi)運行，手機(jī)就是使用NOR型閃存的大戶，所以手機(jī)的“內(nèi)存”容量通常不大；NAND型閃存主要用來存儲資料，我們常用的閃存產(chǎn)品，如閃存盤、數(shù)碼存儲卡都是用NAND型閃存。這里我們還需要端正一個概念，那就是閃存的速度其實很有限，它本身操作速度、頻率就比內(nèi)存低得多，而且NAND型閃存類似硬盤的操作方式效率也比內(nèi)存的直接訪問方式慢得多。因此，不要以為閃存盤的性能瓶頸是在接口，甚至想當(dāng)然地認(rèn)為閃存盤采用USB2.0接口之后會獲得巨大的性能提升。前面提到NAND型閃存的操作方式效率低，這和它的架構(gòu)設(shè)計和接口設(shè)計有關(guān)，它操作起來確實挺像硬盤其實NAND型閃存在設(shè)計之初確實考慮了與硬盤的兼容性，它的性能特點也很像硬盤:小數(shù)據(jù)塊操作速度很慢，而大數(shù)據(jù)塊速度就很快，這種差異遠(yuǎn)比其他存儲介質(zhì)大的多。這種性能特點非常值得我們留意。閃存存取比較快速，無噪音，散熱小。你買的話其實可以不考慮那么多，同樣存儲空間買閃存。如果硬盤空間大就買硬盤，也可以滿足你應(yīng)用的需求。【閃存的分類】·目前市場上常見的存儲按種類可分:U盤CF卡SM卡SD/MMC卡記憶棒·國內(nèi)市場常見的品牌有:金士頓、索尼、晟碟、Kingmax、鷹泰、創(chuàng)見?！綨AND型閃存】內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁Page可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512字節(jié)。每一頁的有效容量是512字節(jié)的倍數(shù)。所謂的有效容量是指用于數(shù)據(jù)存儲的部分，實際上還要加上16字節(jié)的校驗信息，因此我們可以在閃存廠商的技術(shù)資料當(dāng)中看到“512+16Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型閃存絕大多數(shù)是512+16字節(jié)的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型閃存則將頁容量擴(kuò)大到2048+64字節(jié)。NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù)據(jù)，必須先擦除后寫入，因此擦除操作是閃存的基本操作。一般每個塊包含32個512字節(jié)的頁，容量16KB；而大容量閃存采用2KB頁時，則每個塊包含64個頁，容量128KB。每顆NAND型閃存的I/O接口一般是8條，每條數(shù)據(jù)線每次傳輸512+16bit信息，8條就是512+16×8bit，也就是前面說的512字節(jié)。但較大容量的NAND型閃存也越來越多地采用16條I/O線的設(shè)計，如三星編號K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型閃存，容量1Gb，基本數(shù)據(jù)單位是256+8×16bit，還是512字節(jié)。尋址時，NAND型閃存通過8條I/O接口數(shù)據(jù)線傳輸?shù)刂沸畔?，每包傳?位地址信息。由于閃存芯片容量比較大，一組8位地址只夠?qū)ぶ?56個頁，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若干組，占用若干個時鐘周期。NAND的地址信息包括列地址頁面中的起始操作地址、塊地址和相應(yīng)的頁面地址，傳送時分別分組，至少需要三次，占用三個周期。隨著容量的增大，地址信息會更多，需要占用更多的時鐘周期傳輸，因此NAND型閃存的一個重要特點就是容量越大，尋址時間越長。而且，由于傳送地址周期比其他存儲介質(zhì)長，因此NAND型閃存比其他存儲介質(zhì)更不適合大量的小容量讀寫請求。決定NAND型閃存的因素有哪些？1．頁數(shù)量前面已經(jīng)提到，越大容量閃存的頁越多、頁越大，尋址時間越長。但這個時間的延長不是線性關(guān)系，而是一個一個的臺階變化的。譬如128、256Mb的芯片需要3個周期傳送地址信號，512Mb、1Gb的需要4個周期，而2、4Gb的需要5個周期。2．頁容量每一頁的容量決定了一次可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，因此大容量的頁有更好的性能。前面提到大容量閃存4Gb提高了頁的容量，從512字節(jié)提高到2KB。頁容量的提高不但易于提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M為例，前者為1Gb，512字節(jié)頁容量，隨機(jī)讀穩(wěn)定時間12μs，寫時間為200μs；后者為4Gb，2KB頁容量，隨機(jī)讀穩(wěn)定時間25μs，寫時間為300μs。假設(shè)它們工作在20MHz。讀取性能:NAND型閃存的讀取步驟分為:發(fā)送命令和尋址信息→將數(shù)據(jù)傳向頁面寄存器隨機(jī)讀穩(wěn)定時間→數(shù)據(jù)傳出每周期8bit，需要傳送512+16或2K+64次。K9K1G08U0M讀一個頁需要:5個命令、尋址周期×50ns+12μs+512+16×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M實際讀傳輸率:512字節(jié)÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M讀一個頁需要:6個命令、尋址周期×50ns+25μs+2K+64×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M實際讀傳輸率:2KB字節(jié)÷131.1μs=15.6MB/s。因此，采用2KB頁容量比512字節(jié)也容量約提高讀性能20%。寫入性能:NAND型閃存的寫步驟分為:發(fā)送尋址信息→將數(shù)據(jù)傳向頁面寄存器→發(fā)送命令信息→數(shù)據(jù)從寄存器寫入頁面。其中命令周期也是一個，我們下面將其和尋址周期合并，但這兩個部分并非連續(xù)的。K9K1G08U0M寫一個頁需要:5個命令、尋址周期×50ns+512+16×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M實際寫傳輸率:512字節(jié)÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M寫一個頁需要:6個命令、尋址周期×50ns+2K+64×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M實際寫傳輸率:2112字節(jié)/405.9μs=5MB/s。因此，采用2KB頁容量比512字節(jié)頁容量提高寫性能兩倍以上。3．塊容量塊是擦除操作的基本單位，由于每個塊的擦除時間幾乎相同擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息占用的時間可以忽略不計，塊的容量將直接決定擦除性能。大容量NAND型閃存的頁容量提高，而每個塊的頁數(shù)量也有所提高，一般4Gb芯片的塊容量為2KB×64個頁=128KB，1Gb芯片的為512字節(jié)×32個頁=16KB?？梢钥闯?，在相同時間之內(nèi)，前者的擦速度為后者8倍！4．I/O位寬以往NAND型閃存的數(shù)據(jù)線一般為8條，不過從256Mb產(chǎn)品開始，就有16條數(shù)據(jù)線的產(chǎn)品出現(xiàn)了。但由于控制器等方面的原因，x16芯片實際應(yīng)用的相對比較少，但將來數(shù)量上還是會呈上升趨勢的。雖然x16的芯片在傳送數(shù)據(jù)和地址信息時仍采用8位一組，占用的周期也不變，但傳送數(shù)據(jù)時就以16位為一組，帶寬增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16芯片，它每頁仍為2KB，但結(jié)構(gòu)為1K+32×16bit。模仿上面的計算，我們得到如下。K9K4G16U0M讀一個頁需要:6個命令、尋址周期×50ns+25μs+1K+32×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M實際讀傳輸率:2KB字節(jié)÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M寫一個頁需要:6個命令、尋址周期×50ns+1K+32×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M實際寫傳輸率:2KB字節(jié)÷353.1μs=5.8MB/s可以看到，相同容量的芯片，將數(shù)據(jù)線增加到16條后，讀性能提高近70%，寫性能也提高16%。5．頻率工作頻率的影響很容易理解。NAND型閃存的工作頻率在20～33MHz，頻率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M為例時，我們假設(shè)頻率為20MHz，如果我們將頻率提高一倍，達(dá)到40MHz，則K9K4G08U0M讀一個頁需要:6個命令、尋址周期×25ns+25μs+2K+64×25ns=78μs。K9K4G08U0M實際讀傳輸率:2KB字節(jié)÷78μs=26.3MB/s?？梢钥吹剑绻鸎9K4G08U0M的工作頻率從20MHz提高到40MHz，讀性能可以提高近70%！當(dāng)然，上面的例子只是為了方便計算而已。在三星實際的產(chǎn)品線中，可工作在較高頻率下的應(yīng)是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的頻率目前可達(dá)33MHz。6．制造工藝制造工藝可以影響晶體管的密度，也對一些操作的時間有影響。譬如前面提到的寫穩(wěn)定和讀穩(wěn)定時間，它們在我們的計算當(dāng)中占去了時間的重要部分，尤其是寫入時。如果能夠降低這些時間，就可以進(jìn)一步提高性能。90nm的制造工藝能夠改進(jìn)性能嗎？答案恐怕是否！目前的實際情況是，隨著存儲密度的提高，需要的讀、寫穩(wěn)定時間是呈現(xiàn)上升趨勢的。前面的計算所舉的例子中就體現(xiàn)了這種趨勢，否則4Gb芯片的性能提升更加明顯。綜合來看，大容量的NAND型閃存芯片雖然尋址、操作時間會略長，但隨著頁容量的提高，有效傳輸率還是會大一些，大容量的芯片符合市場對容量、成本和性能的需求趨勢。而增加數(shù)據(jù)線和提高頻率，則是提高性能的最有效途徑，但由于命令、地址信息占用操作周期，以及一些固定操作時間如信號穩(wěn)定時間等等工藝、物理因素的影響，它們不會帶來同比的性能提升。1Page=2K+64Bytes；1Block=2K+64B×64Pages=128K+4KBytes；1Device=2K+64B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits其中:A0～11對頁內(nèi)進(jìn)行尋址，可以被理解為“列地址”。A12～29對頁進(jìn)行尋址，可以被理解為“行地址”。為了方便，“列地址”和“行地址”分為兩組傳輸，而不是將它們直接組合起來一個大組。因此每組在最后一個周期會有若干數(shù)據(jù)線無信息傳輸。沒有利用的數(shù)據(jù)線保持低電平。NAND型閃存所謂的“行地址”和“列地址”不是我們在DRAM、SRAM中所熟悉的定義，只是一種相對方便的表達(dá)方式而已。為了便于理解，我們可以將上面三維的NAND型閃存芯片架構(gòu)圖在垂直方向做一個剖面，在這個剖面中套用二維的“行”、“列”概念就比較直觀了?！緫?yīng)用及前景】“優(yōu)盤”是閃存走進(jìn)日常生活的最明顯寫照，其實早在U盤之前，閃存已經(jīng)出現(xiàn)在許多電子產(chǎn)品之中。傳統(tǒng)的存儲數(shù)據(jù)方式是采用RAM的易失存儲，電池沒電了數(shù)據(jù)就會丟失。采用閃存的產(chǎn)品，克服了這一毛病，使得數(shù)據(jù)存儲更為可靠。除了閃存盤，閃存還被應(yīng)用在計算機(jī)中的BIOS、PDA、數(shù)碼相機(jī)、錄音筆、手機(jī)、數(shù)字電視、游戲機(jī)等電子產(chǎn)品中。追溯到1998年，優(yōu)盤進(jìn)入市場。接口由USB1.0發(fā)展到2.0，速度逐漸提高。U盤的盛行還間接促進(jìn)了USB接口的推廣。為什么U盤這么受到人們歡迎呢？閃存盤可用來在電腦之間交換數(shù)據(jù)。從容量上講，閃存盤的容量從16MB到2GB可選，突破了軟驅(qū)1.44MB的局限性。從讀寫速度上講，閃存盤采用USB接口，讀寫速度比軟盤高許多。從穩(wěn)定性上講，閃存盤沒有機(jī)械讀寫裝置，避免了移動硬盤容易碰傷、跌落等原因造成的損壞。部分款式閃存盤具有加密等功能，令用戶使用更具個性化。閃存盤外形小巧，更易于攜帶。且采用支持熱插拔的USB接口，使用非常方便。目前，閃存正朝大容量、低功耗、低成本的方向發(fā)展。與傳統(tǒng)硬盤相比，閃存的讀寫速度高、功耗較低，目前市場上已經(jīng)出現(xiàn)了閃存硬盤。隨著制造工藝的提高、成本的降低，閃存將更多地出現(xiàn)在日常生活之中。【與硬盤區(qū)別】如果單從儲存介質(zhì)上來說 ，閃存比硬盤好 。但并不是音質(zhì)上的好，是指數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣冗€有抗震度來說閃存不存在抗震 。要對比兩者之間的優(yōu)劣并不難， 首先理解什么是數(shù)碼，知道什么是數(shù)碼信號之后就該清楚數(shù)碼信號通常是不受儲存介質(zhì)干擾的。忽略音頻流文件的誤碼，硬盤和閃存在這個方面可以忽略，光盤不同。 硬盤和閃存的數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性都很高 ，在同樣的測試條件下相同解碼相同輸出，兩者音質(zhì)肯定是一樣的 。對于隨身聽來說，贊同閃存式。優(yōu)點:1.閃存的隨身聽小。并不是說閃存的集成度就一定會高。微硬盤做的這么大一塊主要原因就是微硬盤不能做的小過閃存，并不代表微硬盤的集成度就不高。再說，集成度高并不能代表音質(zhì)一定下降。MD就是一個例子。2.相對于硬盤來說閃存結(jié)構(gòu)不怕震，更抗摔。硬盤最怕的就是強(qiáng)烈震動。雖然我們使用的時候可以很小心，但老虎也有打盹的時候，不怕一萬就怕萬一。3.閃存可以提供更快的數(shù)據(jù)讀取速度，硬盤則受到轉(zhuǎn)速的限制 。4.質(zhì)量輕?！鹃W存發(fā)展過程】·閃存的發(fā)展歷史在1984年，東芝公司的發(fā)明人Fujio Masuoka 首先提出了快速閃存存儲器此處簡稱閃存的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點是非易失性也就是所存儲的數(shù)據(jù)在主機(jī)掉電后不會丟失，其記錄速度也非?？?。Intel是世界上第一個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256K bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個錄音機(jī)里。后來，Intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為NOR閃存。它結(jié)合EPROM可擦除可編程只讀存儲器和EEPROM電可擦除可編程只讀存儲器兩項技術(shù)，并擁有一個SRAM接口。第二種閃存稱為NAND閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認(rèn)為是NOR閃存的理想替代者。NAND閃存的寫周期比NOR閃存短十倍，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。NAND的存儲單元只有NOR的一半，在更小的存儲空間中NAND獲得了更好的性能。鑒于NAND出色的表現(xiàn)，它常常被應(yīng)用于諸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存儲卡上。·閃存的市場現(xiàn)狀分析目前的閃存市場仍屬于群雄爭霸的末成熟時期。三星、日立、Spansion和Intel是這個市場的四大生產(chǎn)商。由于戰(zhàn)略上的一些錯誤，Intel在第一次讓出了它的榜首座椅，下落至三星、日立和Spansion之后。AMD閃存業(yè)務(wù)部門Spansion同時生產(chǎn)NAND和NOR閃存。它上半年的NOR閃存產(chǎn)量幾乎與Intel持平，成為NOR閃存的最大制造商。該公司在上半年贏利為13億美元，幾乎是它整個公司利潤額25億美元的一半以上。總體而言，Intel和AMD在上半年成績喜人，但三星和日立卻遭受挫折。據(jù)市場調(diào)研公司iSuppli所做的估計，今年全球的閃存收益將達(dá)到166億美元，比2003年116.4億美元上漲46%。消息者對數(shù)碼相機(jī)、USB sticks和壓縮式MP3播放器內(nèi)存的需求將極大推動閃存的銷售。據(jù)預(yù)測，2005年閃存的銷售額將達(dá)到175億美元。不過，iSuppli估計，2005年至2008年閃存的利潤增漲將有所回落，最高將達(dá)224億美元。·新的替代品是否可能？與許多壽命短小的信息技術(shù)相比，閃存以其16年的發(fā)展歷程，充分顯示了其“老前輩”的作風(fēng)。九十年代初，閃存才初入市場；至2000年，利益額已突破十億美元。英飛凌科技閃存部門主任，彼得曾說:“就閃存的生命周期而言，我們?nèi)蕴幱谝粋€上升的階段。”英飛凌相信，閃存的銷售仍具有上升空間，并在醞釀加入對該市場的投入。英飛凌在今年初宣布，其位于德累斯頓的200毫米DRAM工廠已經(jīng)開始生產(chǎn)512Mb NAND兼容閃存芯片。到2004年底，英飛凌公司計劃采用170納米制造工藝，每月制造超過10，000片晶圓。而2007年，該公司更希望在NAND市場成為前三甲。此外，Intel技術(shù)與制造集團(tuán)副總載Stefan Lai認(rèn)為，在2008年之前，閃存將不可替代。2006年，Intel將首先采用65納米技術(shù)；到2008年，目前正在研發(fā)的新一代45納米技術(shù)將有望投放市場。Stefan Lai覺得，目前的預(yù)測仍然比較淺顯，或許32納米、22納米技術(shù)完全有可能實現(xiàn)。但Stefan Lai也承認(rèn)，2008年至2010年，新的技術(shù)可能會取而代之。盡管對閃存替代品的討論越來越激勵，閃存仍然受到市場的重視。未來的替代品不僅必須是類似閃存一樣的非易失性存儲器，而且在速度和寫周期上略勝一籌。此外，生產(chǎn)成本也應(yīng)該相對低廉。由于現(xiàn)在制造技術(shù)還不成熟，新的替代品不會對閃存構(gòu)成絕對的威脅。下面就讓我們來認(rèn)識一下幾種可能的替代產(chǎn)品:·Nanocrystals納米晶體摩托羅拉的半導(dǎo)體部門Freescale正在研制一種增加閃存生命周期的產(chǎn)品。這種產(chǎn)品以硅納米晶體Silicon Nanocrystals為介質(zhì)，用硅原子?xùn)鸥翊媪税雽?dǎo)體內(nèi)部的固態(tài)層。納米晶體不是一個全新的存儲技術(shù)。它只是對閃存的一種改進(jìn)，使它更易擴(kuò)展。它的生產(chǎn)成本可以比原來低大約10-15%，生產(chǎn)過程更加簡單。它的性能與可靠性都能夠與目前的閃存相媲美。摩托羅拉花了十年時間研發(fā)這種技術(shù)，并打算大規(guī)模生產(chǎn)此類產(chǎn)品。去年六月，該公司已經(jīng)成功地使用此技術(shù)推出了一款此類芯片。硅納米晶體芯片預(yù)計會在2006年全面投放市場。→更多相關(guān)內(nèi)容請參見納米晶體·MRAMMagnetic RAM磁荷隨機(jī)存儲器MRAM磁荷隨機(jī)存儲器是由英飛凌與Freescale兩家公司研發(fā)的一種利用磁荷來儲存數(shù)據(jù)的存介質(zhì)。MRAM的寫次數(shù)很高，訪問速度也比閃存大大增強(qiáng)。根據(jù)計算，寫MRAM芯片上1bit的時間要比寫閃存的時間短一百萬倍。·磁荷隨機(jī)存儲器兩家公司都認(rèn)為，MRAM不僅將是閃存的理想替代品，也是DRAM與SRAM的強(qiáng)有力競爭者。今年六月，英飛凌已將自己的第一款產(chǎn)品投放市場。與此同時，F(xiàn)reescale也正在加緊研發(fā)，力爭在明年推出4M bit芯片。但是，一些評論者擔(dān)心MRAM是否能達(dá)到閃存存儲單元的尺寸。根據(jù)英飛凌的報告，目前閃存存儲單元的尺寸為0.1?m?，而16M bit MRAM芯片僅達(dá)到1.42 ?m?。另外，MRAM的生產(chǎn)成本也是個不小的問題。更多相關(guān)內(nèi)容請參見磁荷隨機(jī)存儲器。·OUMOvonic Unified Memory Ovonyx標(biāo)準(zhǔn)化內(nèi)存OUM是由Intel研發(fā)的，利用Ge、Sb與Te等化合物為材料制成的薄膜。OUM。OUM的寫、刪除和讀的功能與CD-RW與DVD-RW相似。但CD/DVD使用激光來加熱和改變稱為硫系化合物chalcogenides的材料；而OUM則通過電晶體控制電源，使其產(chǎn)生相變方式來儲存資料。OUM的擦寫次數(shù)為10的12次方，100次數(shù)據(jù)訪問時間平均為200納秒。OUM的速度比閃存要快。盡管OUM比MRAM的數(shù)據(jù)訪問時間要慢，但是低廉的成本卻是OUM的致勝法寶。與MRAM不同，OUM的發(fā)展仍處于初期。盡管已制成測試芯片，它們僅僅能用來確認(rèn)概念而不是說明該技術(shù)的可行性。Intel在過去四年一直致力于OUM的研發(fā)，并正在努力擴(kuò)大該市場。更多相關(guān)內(nèi)容請參見OUM 。·總結(jié)除了上文提到的MRAM和OUM，其它可替代的產(chǎn)品還有MRAM FeRAM、 Polymer memory PFRAM、 PCRAM、 Conductive Bridge RAM CBRAM、 Organic RAM ORAM以及最近的Nanotube RAM NRAM。目前替代閃存的產(chǎn)品有許多，但是哪條路能夠成功，以及何時成功仍然值得懷疑。對大多數(shù)公司而言，閃存仍是一個理想的投資。不少公司已決定加大對閃存的投資額。此外，據(jù)估計，到2004年，閃存總產(chǎn)值將與DRAM并駕齊驅(qū)，到2006年將超越DRAM產(chǎn)品。因為，在期待新一代產(chǎn)品的同時，我們也不應(yīng)該忽視目前已有的市場。