手機(jī)內(nèi)存卡與磁卡放一起會(huì)出現(xiàn)什么情況

應(yīng)該不會(huì)出現(xiàn)什么情況。除非非常長(zhǎng)的磁性，才會(huì)使內(nèi)存卡的數(shù)據(jù)遺失內(nèi)存的讀寫是靠場(chǎng)效應(yīng)管的東西通過柵極加電壓完成讀寫的.閃存的讀寫方式：閃存的儲(chǔ)存單元為三端器件，與場(chǎng)效應(yīng)管有相同的名稱：源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層，用來保護(hù)浮置柵極中的電荷不會(huì)泄露。采用這種結(jié)構(gòu)，使得儲(chǔ)存單元具有了電荷保持能力，就像是裝進(jìn)瓶子里的水，當(dāng)你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以閃存具有記憶能力。 與場(chǎng)效應(yīng)管一樣，閃存也是一種電壓控制型器件。NAND型閃存的擦和寫均是基于遂道效應(yīng)，電流穿過浮置柵極與硅基層之間的絕緣層，對(duì)浮置柵極進(jìn)行充電（寫數(shù)據(jù)）或放電（擦除數(shù)據(jù)）。而NOR型閃存擦除數(shù)據(jù)仍是基于遂道效應(yīng)（電流從浮置柵極到硅基層），但在寫入數(shù)據(jù)時(shí)則是采用熱電子注入方式（電流從浮置柵極到源極）。