數(shù)碼相機(jī)中的傳感器原器件CCD和COMS有什么區(qū)別
CCD 或 CMOS,基本上兩者都是利用矽感光二極體(photodiode)進(jìn)行光與電的轉(zhuǎn)換。這種轉(zhuǎn)換的原理與各位手上具備“太陽(yáng)電能”電子計(jì)算機(jī)的“太陽(yáng)能電池”效應(yīng)相近,光線越強(qiáng)、電力越強(qiáng);反之,光線越弱、電力也越弱的道理,將光影像轉(zhuǎn)換為電子數(shù)字信號(hào)。
比較 CCD 和 CMOS 的結(jié)構(gòu),ADC的位置和數(shù)量是最大的不同。簡(jiǎn)單的說(shuō),按我們?cè)谏弦恢v“CCD 感光元件的工作原理(上)”中所提之內(nèi)容。CCD每曝光一次,在快門(mén)關(guān)閉后進(jìn)行像素轉(zhuǎn)移處理,將每一行中每一個(gè)像素(pixel)的電荷信號(hào)依序傳入“緩沖器”中,由底端的線路引導(dǎo)輸出至 CCD 旁的放大器進(jìn)行放大,再串聯(lián) ADC 輸出;相對(duì)地,CMOS 的設(shè)計(jì)中每個(gè)像素旁就直接連著 ADC(放大兼類(lèi)比數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換器),訊號(hào)直接放大并轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。
兩者優(yōu)缺點(diǎn)的比較
CCD CMOS
設(shè)計(jì) 單一感光器 感光器連接放大器
靈敏度 同樣面積下高 感光開(kāi)口小,靈敏度低
成本 線路品質(zhì)影響程度高,成本高 CMOS整合集成,成本低
解析度 連接復(fù)雜度低,解析度高 低,新技術(shù)高
噪點(diǎn)比 單一放大,噪點(diǎn)低 百萬(wàn)放大,噪點(diǎn)高
功耗比 需外加電壓,功耗高 直接放大,功耗低
由于構(gòu)造上的基本差異,我們可以表列出兩者在性能上的表現(xiàn)之不同。CCD的特色在于充分保持信號(hào)在傳輸時(shí)不失真(專(zhuān)屬通道設(shè)計(jì)),透過(guò)每一個(gè)像素集合至單一放大器上再做統(tǒng)一處理,可以保持資料的完整性;CMOS的制程較簡(jiǎn)單,沒(méi)有專(zhuān)屬通道的設(shè)計(jì),因此必須先行放大再整合各個(gè)像素的資料。
整體來(lái)說(shuō),CCD 與 CMOS 兩種設(shè)計(jì)的應(yīng)用,反應(yīng)在成像效果上,形成包括 ISO 感光度、制造成本、解析度、噪點(diǎn)與耗電量等,不同類(lèi)型的差異:
ISO 感光度差異:由于 CMOS 每個(gè)像素包含了放大器與A/D轉(zhuǎn)換電路,過(guò)多的額外設(shè)備壓縮單一像素的感光區(qū)域的表面積,因此 相同像素下,同樣大小之感光器尺寸,CMOS的感光度會(huì)低于CCD。
成本差異:CMOS 應(yīng)用半導(dǎo)體工業(yè)常用的 MOS制程,可以一次整合全部周邊設(shè)施于單晶片中,節(jié)省加工晶片所需負(fù)擔(dān)的成本 和良率的損失;相對(duì)地 CCD 采用電荷傳遞的方式輸出資訊,必須另辟傳輸通道,如果通道中有一個(gè)像素故障(Fail),就會(huì)導(dǎo)致一整排的 訊號(hào)壅塞,無(wú)法傳遞,因此CCD的良率比CMOS低,加上另辟傳輸通道和外加 ADC 等周邊,CCD的制造成本相對(duì)高于CMOS。
解析度差異:在第一點(diǎn)“感光度差異”中,由于 CMOS 每個(gè)像素的結(jié)構(gòu)比 CCD 復(fù)雜,其感光開(kāi)口不及CCD大, 相對(duì)比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時(shí),CCD感光器的解析度通常會(huì)優(yōu)于CMOS。不過(guò),如果跳脫尺寸限制,目前業(yè)界的CMOS 感光原件已經(jīng)可達(dá)到1400萬(wàn) 像素 / 全片幅的設(shè)計(jì),CMOS 技術(shù)在量率上的優(yōu)勢(shì)可以克服大尺寸感光原件制造上的困難,特別是全片幅 24mm-by-36mm 這樣的大小。
噪點(diǎn)差異:由于CMOS每個(gè)感光二極體旁都搭配一個(gè) ADC 放大器,如果以百萬(wàn)像素計(jì),那么就需要百萬(wàn)個(gè)以上的 ADC 放大器,雖然是統(tǒng)一制造下的產(chǎn)品,但是每個(gè)放大器或多或少都有些微的差異存在,很難達(dá)到放大同步的效果,對(duì)比單一個(gè)放大器的CCD,CMOS最終計(jì)算出的噪點(diǎn)就比較多。
耗電量差異:CMOS的影像電荷驅(qū)動(dòng)方式為主動(dòng)式,感光二極體所產(chǎn)生的電荷會(huì)直接由旁邊的電晶體做放大輸出;但CCD卻為被動(dòng)式, 必須外加電壓讓每個(gè)像素中的電荷移動(dòng)至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特(V)以上的水平,因此 CCD 還必須要有更精密的電源線路設(shè)計(jì)和耐壓強(qiáng)度,高驅(qū)動(dòng)電壓使 CCD 的電量遠(yuǎn)高于CMOS。
比較 CCD 和 CMOS 的結(jié)構(gòu),ADC的位置和數(shù)量是最大的不同。簡(jiǎn)單的說(shuō),按我們?cè)谏弦恢v“CCD 感光元件的工作原理(上)”中所提之內(nèi)容。CCD每曝光一次,在快門(mén)關(guān)閉后進(jìn)行像素轉(zhuǎn)移處理,將每一行中每一個(gè)像素(pixel)的電荷信號(hào)依序傳入“緩沖器”中,由底端的線路引導(dǎo)輸出至 CCD 旁的放大器進(jìn)行放大,再串聯(lián) ADC 輸出;相對(duì)地,CMOS 的設(shè)計(jì)中每個(gè)像素旁就直接連著 ADC(放大兼類(lèi)比數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換器),訊號(hào)直接放大并轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。
兩者優(yōu)缺點(diǎn)的比較
CCD CMOS
設(shè)計(jì) 單一感光器 感光器連接放大器
靈敏度 同樣面積下高 感光開(kāi)口小,靈敏度低
成本 線路品質(zhì)影響程度高,成本高 CMOS整合集成,成本低
解析度 連接復(fù)雜度低,解析度高 低,新技術(shù)高
噪點(diǎn)比 單一放大,噪點(diǎn)低 百萬(wàn)放大,噪點(diǎn)高
功耗比 需外加電壓,功耗高 直接放大,功耗低
由于構(gòu)造上的基本差異,我們可以表列出兩者在性能上的表現(xiàn)之不同。CCD的特色在于充分保持信號(hào)在傳輸時(shí)不失真(專(zhuān)屬通道設(shè)計(jì)),透過(guò)每一個(gè)像素集合至單一放大器上再做統(tǒng)一處理,可以保持資料的完整性;CMOS的制程較簡(jiǎn)單,沒(méi)有專(zhuān)屬通道的設(shè)計(jì),因此必須先行放大再整合各個(gè)像素的資料。
整體來(lái)說(shuō),CCD 與 CMOS 兩種設(shè)計(jì)的應(yīng)用,反應(yīng)在成像效果上,形成包括 ISO 感光度、制造成本、解析度、噪點(diǎn)與耗電量等,不同類(lèi)型的差異:
ISO 感光度差異:由于 CMOS 每個(gè)像素包含了放大器與A/D轉(zhuǎn)換電路,過(guò)多的額外設(shè)備壓縮單一像素的感光區(qū)域的表面積,因此 相同像素下,同樣大小之感光器尺寸,CMOS的感光度會(huì)低于CCD。
成本差異:CMOS 應(yīng)用半導(dǎo)體工業(yè)常用的 MOS制程,可以一次整合全部周邊設(shè)施于單晶片中,節(jié)省加工晶片所需負(fù)擔(dān)的成本 和良率的損失;相對(duì)地 CCD 采用電荷傳遞的方式輸出資訊,必須另辟傳輸通道,如果通道中有一個(gè)像素故障(Fail),就會(huì)導(dǎo)致一整排的 訊號(hào)壅塞,無(wú)法傳遞,因此CCD的良率比CMOS低,加上另辟傳輸通道和外加 ADC 等周邊,CCD的制造成本相對(duì)高于CMOS。
解析度差異:在第一點(diǎn)“感光度差異”中,由于 CMOS 每個(gè)像素的結(jié)構(gòu)比 CCD 復(fù)雜,其感光開(kāi)口不及CCD大, 相對(duì)比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時(shí),CCD感光器的解析度通常會(huì)優(yōu)于CMOS。不過(guò),如果跳脫尺寸限制,目前業(yè)界的CMOS 感光原件已經(jīng)可達(dá)到1400萬(wàn) 像素 / 全片幅的設(shè)計(jì),CMOS 技術(shù)在量率上的優(yōu)勢(shì)可以克服大尺寸感光原件制造上的困難,特別是全片幅 24mm-by-36mm 這樣的大小。
噪點(diǎn)差異:由于CMOS每個(gè)感光二極體旁都搭配一個(gè) ADC 放大器,如果以百萬(wàn)像素計(jì),那么就需要百萬(wàn)個(gè)以上的 ADC 放大器,雖然是統(tǒng)一制造下的產(chǎn)品,但是每個(gè)放大器或多或少都有些微的差異存在,很難達(dá)到放大同步的效果,對(duì)比單一個(gè)放大器的CCD,CMOS最終計(jì)算出的噪點(diǎn)就比較多。
耗電量差異:CMOS的影像電荷驅(qū)動(dòng)方式為主動(dòng)式,感光二極體所產(chǎn)生的電荷會(huì)直接由旁邊的電晶體做放大輸出;但CCD卻為被動(dòng)式, 必須外加電壓讓每個(gè)像素中的電荷移動(dòng)至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特(V)以上的水平,因此 CCD 還必須要有更精密的電源線路設(shè)計(jì)和耐壓強(qiáng)度,高驅(qū)動(dòng)電壓使 CCD 的電量遠(yuǎn)高于CMOS。
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